"The leakage current is extremely temperature-dependent. It almost doubles for every 6°C rise in temperature in Ge and for every 10°C rise in Si. Any increase in ICO is magnified (1 + β) times i.e. 300 to 500 times. Even a slight increase in ICO will affect IC considerably. As IC increases, collector power dissipation increases which raises the operating temperature that leads to further increase in IC. If this succession of increases is allowed to continue, soon IC will increase beyond safe operating value thereby damaging the transistor itself—a condition known as thermal runaway. Hence, some form of stabilization is necessary to prevent this thermal runaway. ................................................................................." গুগল ট্রান্সলেটরে বাংলা অনুবাদ "ফুটা বর্তমান অত্যন্ত তাপমাত্রা নির্ভরশীল. এটা প্রায় প্রতি 6 ° সে বৃদ্ধির জন্য দ্বিগুণ GE তাপমাত্রা এবং Si মধ্যে প্রতি 10 ° C-বৃদ্ধির জন্য. Ico মধ্যে কোন বৃদ্ধি (1 + + β) বিবর্ধিত করা হয় বার 300 থেকে 500 বার যেমন. Ico এমনকি সামান্য বৃদ্ধির প্রচুরভাবে আইসি প্রভাবিত করবে. আইসি বাড়লে, জন্মাতে পারে যে অপারেটিং তাপমাত্রা উত্থাপন যা সংগ্রাহকের বিদ্যুৎ অপচয় বৃদ্ধি আইসি আরও বৃদ্ধি. বৃদ্ধির এই উত্তরাধিকার অবিরত করার অনুমতি দেওয়া হয়, তাহলে খুব শীঘ্রই আইসি বৃদ্ধি হবে নিরাপদ অপারেটিং মান অতিক্রম যার ফলে ট্রানজিস্টার নিজেই একটি তাপ হিসাবে পরিচিত শর্ত ক্ষতি পলায়নপর. অতএব, স্থিতিশীল কিছু ফর্ম এই তাপ পলায়নপর প্রতিরোধ করা প্রয়োজন." লুল :D
Posted on: Sat, 24 Aug 2013 18:33:05 +0000
Trending Topics
Recently Viewed Topics
© 2015